مقاله در مورد بررسی همه جانبه دستگاه اسیلوسکوپ

موضوع :

مقاله در مورد بررسی همه جانبه دستگاه اسیلوسکوپ

( فایل word قابل ویرایش )

تعداد صفحات : 12

اسیلوسکوپ

اسیلوسکوپ یک دستگاه مفید و چند کاره آزمایشگاهی است که برای نمایش ‌دادن و اندازه گیری ، تحلیل شکل موجها و دیگر پدیده‌های مدارهای الکتریکی و الکترونیکی بکار می‌‌رود.

مقدمه

اسیلوسکوپ در حقیقت رسامهای بسیار سریع هستند که سیگنال ورودی را در برابر زمان یا در برابر سیگنال دیگر نمایش می‌‌دهند. قلم این رسام یک لکه نورانی است که در اثر برخورد یک باریکه الکترون به پرده‌ای فلوئورسان بوجود می‌آید.

به علت لختی بسیار کم باریکه الکترون می‌‌توان این باریکه را برای دنبال کردن تغییرات لحظه‌ای (ولتاژهایی که بسیار سریع تغییر می‌کنند، یا فرکانس‌های بسیار بالا) بکار برد. اسیلوسکوپ بر اساس ولتاژ کار می‌‌کند. البته به کمک مبدلها (ترانزیستورها) می‌‌توان جریان الکتریکی و کمیتهای دیگر فیزیکی و مکانیکی را به ولتاژ تبدیل کرد.

فهرست مطالب :

قسمتهای مختلف اسیلوسکوپ
لامپ پرتو کاتدی
تفنگ الکترونی :
صفحات انحراف دهنده
صفحه فلوئورسان
مولد مبنای زمان

مدارهای اصلی اسیلوسکوپ
سیستم انحراف قائم
همزمانی
مواد محو کننده
کنترل وضعیت
کنترل کانونی بودن
کنترل شدت
مدار کالیبره سازی
آشنایی با دستگاه اسیلوسکوپ
تنظیمات پایه
کنترل زمان
کنترل ولتاژ یا دامنه
انتخاب وضعیت های AC , GND , DC
راهنمای قدم به قدم استفاده از اسکوپ

تحقیق درموردترانزیستور

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه23

فهرست مطالب

ترانزیستور

ترانزیستور چگونه کار می کند

انواع ترانزیستور

خازن

دیود  

علم الکترونیک با اختراع ترانزیستور وارد فاز جدیدی از تحقیق و اختراع شد .هر روز اخباری را مبنی بر اختراعات جدید در زمینه الکترونیک می شنویم که مطمئنا در کالبد شکافی این اختراعات به نقش پر اهمیت ترانزیستور پی خواهیم برد .

ترانزیستور یک قطعه سه پایه است که ساختار فیزیکی آن بر اساس عملکرد نیمه هادی ها می باشد.ترانزیستور را از دو نوع نیمه هادی با نام سلسیوم و ژرمانیوم می سازند.عموما در یک تقسیم بندی ترانزیستور ها را به دو دسته ترانزیستور های BJT و FET  تقسیم می کنند . ترانزیستور های BJT با نام ترانزیستور های پیوند دو قطبی و ترانزیستور های FET با نام ترانزیستور های اثر میدان شناخته شده­اند.FETها دارای سرعت سوئیچینگ کمتر از BJT  هستند .

معمولا ترانزیستور را با دو دیود مدل سازی می کنند از این مدل برای تشخیص سالم بودن ترانزیستور استفاده می کنند.عملکرد ترانزیستور هابه عنوان یک طبقه در مدار بستگی به نظر طراح دارد اما در صورتی که ترانزیستور را یک جعبه سیاه در نظر بگیریم که دارای دو ورودی و دو خروجی است با توجه به اینکه ترانزیستور دارای سه پایه است باید یکی از پایه ها را به عنوان پایه مشترک بین ورودی و خروجی در نظر بگیریم. این پایه مشترک اساس آرایش های مختلف ترانزیستور است .یکی از پایه های ترانزیستور با نام Base و پایه دیگر با نام امیتر (تزریق کننده) و پایه آخر با نام کالکتور (جمع کننده ) شناخته شده است . بسته به اینکه کدامیک از پایه های مذکور به عنوان پایه مشترک در نظر گرفته شود آرایش های بیس مشترکCommon Base – کالکتور مشترکCommon Collector- امیتر مشترک Common Emitter – ممکن خواهد بود.

تحقیق آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

*تحقیق آشنایی با ساختمان و عملکرد  نیمه هادی دیود و ترانزیستور*

تعداد صفحات: 36

فرمت فایل: word

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.

ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.

ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .

این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر[1] کشف شد.

این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک[2] و تنارد[3] کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .

اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.

بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.

د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.

بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

  1.                      نیمه هادی نوع N وP

از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود  در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق[4] شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.

بنابرین هر اتم  آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N[5] نام دارد.

در نیمه هادی نوع N ، چون تعداد الکترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدایت جریان را انجام می‌دهند . به حامل هدایت فوق حامل اکثریت و به حفره ها حامل اقلیت می‌گویند.

[1] winkler

[2] Gilosake

[3] Tanard

[4] Dopping

[5] Negative

پایان نامه : فاصله سنج آلتروسنیک با قابلیت اندازه گیری دما به زبان C

عنوان پایان نامه : فاصله سنج آلتروسنیک با قابلیت اندازه گیری دما به زبان C‎

شرح مختصر : اولتراسونیک به صوتی گفته میشود که فرکانس آن بالاتر از فرکانس صوتی است که انسان توانایی شنیدن آنرا دارد و معمولاً فرکانس بالای ۲۰khz را شامل میشود. چندین راه برای اندازه گیری مسافت بدون تماس وجود دارد. برخی دستگاه ها با ساتع کردن امواج مادون قرمز و دریافت آن فاصله شی مورد نظر را تشخیص میدهند. دستگاه های دیگری هستند که با لیزر کار میکنند و صحت عملکرد و دقت بالایی دارند. در حال حاضر تکنیک های تشخیص فاصله با لیزر، رادار، مادون قرمز و اولتراسونیک بطور گسترده در دستگاه های اندازه گیری و اکتشاف موانع و… مورد استفاده قرار میگیرند. دستگاه های اندازه گیری مسافت لیزری و راداری به دلیل گران قیمت بودن و هزینه بالا فقط در کاربردهای محدودی استفاده میشوند و تحقیقات نشان میدهد که سیستمهای تشخیص مسافت اولتراسونیک بدلیل قیمت پائین و عملکرد قابل قبول مقبولیت بیشتری دارند.

فهرست :

فصل اول: سخت افزار و توضیح قطعات سخت افزار

سخت افزار

میکرو کنترلر AVR

سنسور اولتراسونیک

تقویت کننده عملیاتی

خازن

مقاومت الکتریکی

ترانزیستور

دیود

تنظیم کننده ولتاژ

ال سی. دی کارکتری

لیست قطعات فاصله سنج

مدار فاصله سنج

فصل دوم :نرم افزار

برنامه نویسی میکروکنترلر

منطق برنامه

شروع برنامه نویسی به زبان C

برنامه نویسی ماژولار

منابع

مقاله در مورد ترانزیستور

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه:53

 فهرست مطالب

ترانزیستور

معرفی

کاربرد

عملکرد

انواع

ترانزیستور دوقطبی پیوندیترانزیستور اثر میدانی

فلیپ فلاپ

فلیپ فلاپ JK

فلیپ فلاپ D

نگاه اجمالی

مثال کاربردی

پتانسیومتر دقیق

روش درجه بندی ولتاژ

آزمایش تامسون

نگاهی اجمالی

رله ضربه‌ای

رله زمانی دید کلی

ساختمان لامپ

مکانیزم کار لامپ

استارت لامپ  

عرفی

ترانزیستور را معمولا به عنوان یکی از قطعات الکترونیک می شناسند. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم (سیلیکان) ساخته می شود.

کاربرد

ترانزیستور هم در مدارات الکترونیک آنالوگ و هم در مدارات الکترونیک دیجیتال کاربردهای بسیار وسیعی دارد. در آنالوگ می توان از آن به عنوان تقویت کننده یا تنظیم کننده ولتاژ (رگولاتور) و ... استفاده کرد. کاربرد ترانزیستور در الکترونیک دیجیتال شامل مواردی مانند پیاده سازی مدارهای منطقی، حافظه ها، سوئیچ کردن و ... می شود.

عملکرد

ترانزیستور از دیدگاه مداری یک عنصر سه پایه می باشد که با اعمال یک سیگنال به یکی از پایه های آن میزان جریان عبور کننده از دو پایه دیگر آن را می توان تنظیم کرد. برای عملکرد صحیح ترانزیستور در مدار باید توسط المان های دیگر مانند مقاومت ها و ... جریان ها و ولتاژ های لازم را برای آن فراهم کرد و یا اصطلاحا آن را بایاس کرد.

انواع

دو دسته مهم از ترانزیستورها BJT (ترانزیستور دوقطبی پیوندی) و FET (ترانزیستور اثر میدانی) هستند.

ترانزیستور دوقطبی پیوندی

در ترانزیستور دو قطبی پیوندی با اعمال یک جریان به پایه بیس جریان عبوری از دو پایه کلکتور و امیتر کنترل می شود. ترانزیستورهای دوقطبی پیوندی در دونوع npn و pnp ساخته می شوند. بسته به حالت بایاس این ترانزیستورها ممکن است در ناحیه قطع، فعال و یا اشباع کار کنند.

ترانزیستور اثر میدانی

در ترانزیستور اثر میدانی با اعمال یک ولتاژ به پایه گیت میزان جریان عبوری از دو پایه سورس و درین کنترل می شود. ترانزیستور اثر میدانی بر دو قسم است: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type. از دیدگاهی دیگر این ترانزیستورها در دو نوع افزایشی و تخلیه‌ای